即將登陸科創板的拓荊科技股份有限公司(簡稱“拓荊科技”)近日相繼完成網上路演活動、開啟網上網下申購并發布中簽結果，公司距離科創板上市再近一步。

公開資料顯示，拓荊科技成立于2010年4月，是沈陽市乃至遼寧省重點培育的上市后備企業和中國半導體設備五強企業之一，主要從事高端半導體專用薄膜沉積設備的研發、生產以及技術服務，產品包括等離子體增強化學氣相沉積(PECVD)設備、原子層沉積 (ALD)設備和次常壓化學氣相沉積(SACVD)設備三個系列，是目前國內為數不多的產業化應用集成電路PECVD、SACVD設備廠商之一。

“公司立足自主創新，先后承擔多項國家重大科技專項課題，在半導體薄膜沉積設備領域積累了多項研發及產業化的核心技術，并達到國際先進水平。” 拓荊科技表示，公司擁有先進的薄膜工藝設備設計技術、反應模塊架構布局技術等，不僅解決了薄膜表面顆粒數量少、快速成膜、設備產能穩定高速等關鍵難題，還在保證薄膜工藝性能的同時提升了客戶產線的產能，大大減少了生產成本。

拓荊科技相關負責人表示，薄膜沉積設備技術門檻高，研發難度大，生產中不僅需要在成膜后檢測薄膜厚度、均勻性、光學系數、機械應力及顆粒度等性能指標，還需要對最終芯片產品進行可靠性和生命周期測試，以衡量薄膜沉積設備是否最終滿足技術標準。因此，下游客戶對薄膜沉積設備技術要求高，對于新興廠商而言，需要具備強大的技術能力才能獲取客戶信任。

經過十多年的技術積累，拓荊科技已形成覆蓋20余種工藝型號的薄膜沉積設備產品，可以適配國內先進的28/14nm邏輯芯片、19/17nm DRAM芯片和64/128層3D NAND FLASH晶圓制造產線，滿足下游集成電路制造客戶對于不同材料、不同芯片結構薄膜沉積工序的設備需求。其中，PECVD設備已全面覆蓋邏輯電路、DRAM存儲、FLASH閃存集成電路制造各技術節點產線多種通用介質材料薄膜沉積工序，并研發了LokⅠ、LokⅡ、ACHM、ADCⅠ等先進介質材料工藝，一舉打破了薄膜沉積設備長時間被歐美和日本廠商壟斷的局面。

本次IPO，拓荊科技計劃將募集資金主要用于高端半導體設備擴產、先進半導體設備的技術研發與改進以及ALD設備研發與產業化等項目。“上市后，在加強產品技術研發的同時，公司還將逐步培育和完善國內相關產業鏈，通過與國內供應商的深度合作與磨合，推動設備關鍵部件的國產化開發及驗證，提高設備零部件的國產化率以及產品品質。”拓荊科技表示，公司還將利用國產設備廠商的綜合優勢，為客戶提供定向的技術開發與服務，以助力半導體產業鏈發展，保障產業鏈的技術先進性。

業內人士分析，作為半導體產業的重要支撐，半導體專用設備是國家高度重視和重點支持的戰略新興行業。像拓荊科技這類具備“硬科技”屬性的高新技術企業，其發行上市獲取資本助力，既符合科創板“硬科技”板塊的定位，也契合國家發展戰略，具有借助資本市場實現跨越式發展的正面示范效應。